MARS iCE115 碳化硅外延系统
MARS iCE115 SiC Epitaxy System
- 设备特点
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- 薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高
- 具备多层外延能力
- 专业的气流场和加热场设计，工艺性能优
- 可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好
- 产品应用
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- 晶圆尺寸4、6英寸
- 适用材料碳化硅
- 适用工艺N&P碳化硅外延
- 适用领域化合物半导体、衬底材料、科研领域
